光模塊：PIN光電二極管和APD光電二極管
光電探測器。
光模塊接收端能正確識別信號并完成光電轉換，就需要光電探測器，光電探測器通過檢測出照射在其上面的光功率，從而并完成光/電信號的轉換。我們常用的PIN光電二極管和APD（雪崩）光電二極管就屬于光電探測器。要說探測器，就必須說說探測器基本的結構PN結。
PN結
PN結，指的將P型半導體和N型半導體制作在同一塊半導體的基片上，在這兩個半導體的交界處形成的空間電荷區。我們先看看什么是P型和N型半導體。
P型半導體：含有較高濃度的“空穴”（空穴相當于正電荷），所以是Positive的P，成為能導電的物質；
N型半導體：含電子濃度較高的半導體，導電性由自由電子導電，由于電子帶負電，所以是Negative的N。
因此，在P型半導體和N型半導體交界處就出現了電子和空穴的濃度差，從而形成空穴和電子的擴散運動，導致一些電子從N型區向P型區擴散，一些空穴又從P型區向N型區擴散。最終的結果就是在PN交匯處形成空間電荷區電場（內電場，從N指向P），也稱之為PN結（缺少“多子”也叫耗盡層）。
（圖片來源于網絡）
在這里說明一下內部電場，這個電場的形成就導致了載流子的漂移運動，一是N區的載流子空穴向P區漂移，另外是P區的載流子電子向N區漂移。
（圖片來源于網絡）
因此，單純的PN二極管的擴散運動只發生在PN結附近，遠離PN結的地方就沒有電場存在，這也是為什么PN二極管的光電變換效率低下以及響應速度也很慢。
PIN光管二極管
為了解決這個問題，提高轉換效率和響應速率，通過在P型和N型半導體之間增加 一層輕摻雜的N型材料I（Intrinsic，本征的）層，以展寬耗盡層，提高轉換效率，這是因為輕摻雜I層，電子濃度很低，經擴散后就可以形成一個很寬的耗盡層。這就是我們的PIN光電二極管。
PIN光電二極管
原理：
（1）光子照射在半導體材料上產生光生載流子；
（2）光電流在外部電路作用下形成電信號并輸出。
APD雪崩光管二極管
在前面的文章中我們說到，APD雪崩光電二極管具有較高的接收機靈敏度，這個較高靈敏度靠的就是對初級的電光流進行雪崩倍增效果。說到雪崩，估計大家腦海中的第一印象就是大雪山發生雪崩，其實也是同樣的道理，高山上的一點雪發生碰撞，從上而下一路累積，雪團越來越大，最后形成雪崩。
從這里我們可以看出，要發生雪崩，必須具備一個條件就是山要足夠的高。因此，雪崩光電二極管也就是在PIN光電二極管的基礎結構中增加了雪崩區。使得光生載流子在其耗盡區(高場區)內的碰撞電離效應激發出新的電子-空穴對，新產生的載流子通過電場加速，導致更多的碰撞電離產生，一生二，二生三，三生萬物，從而獲得光生電流的雪崩倍增。
APD雪崩光電二極管
原理：
（1）光子照射在半導體材料上產生光生載流子；
（2）光生載流子在雪崩區即高電場區發生雪崩倍增；
（3）光電流在外部電路作用下形成電信號并輸出。